MUN5111T1G和MUN5112T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5111T1G MUN5112T1 PDTA114EU,115

描述 ON SEMICONDUCTOR  MUN5111T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORNXP  PDTA114EU,115  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 200 mW, -100 mA, 30 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SC-70-3 SOT-323 SOT-323-3

针脚数 - - 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.31 W - 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V - 30 @5mA, 5V

额定功率(Max) 202 mW - 200 mW

直流电流增益(hFE) - - 30

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 297 mW - 200 mW

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -

额定电流 -100 mA -100 mA -

无卤素状态 Halogen Free - -

长度 2.2 mm - 2.2 mm

宽度 1.35 mm - 1.35 mm

高度 0.9 mm - 1 mm

封装 SC-70-3 SOT-323 SOT-323-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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