IXFT40N30Q和STD6N95K5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFT40N30Q STD6N95K5 STD18N55M5

描述 TO-268 N-CH 300V 40ASTMICROELECTRONICS  STD6N95K5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STD18N55M5  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-268-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 300 V - -

额定电流 40.0 A - -

漏源极电阻 80.0 mΩ 1 Ω 0.18 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300W (Tc) 90 W 90 W

漏源极电压(Vds) 300 V 950 V 550 V

连续漏极电流(Ids) 40.0 A 9A 16A

上升时间 35.0 ns 12 ns 9.5 ns

输入电容(Ciss) 3100pF @25V(Vds) 450pF @100V(Vds) 1260pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 90 W 90 W

耗散功率(Max) 300W (Tc) 90W (Tc) 110W (Tc)

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 4 V 4 V

输入电容 - 450 pF -

下降时间 - 21 ns 13 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 550 V

封装 TO-268-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.6 mm

宽度 - - 6.2 mm

高度 - - 2.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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