对比图
型号 FQPF47P06 FQPF47P06YDTU 2SJ535-E
描述 FQPF47P06 系列 -60 V -30 A 26 mOhm P-沟道 QFET® MOSFET - TO-220FTrans MOSFET P-CH 60V 30A 3Pin(3+Tab) TO-220F T/R硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
额定电压(DC) -60.0 V - -
额定电流 -30.0 A - -
漏源极电阻 0.026 Ω 26 mΩ -
极性 P-Channel P-CH P-CH
耗散功率 62 W 62 W 35 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30A 30A
上升时间 450 ns 450 ns 150 ns
输入电容(Ciss) 3600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds) 2500pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 62 W 62 W -
下降时间 195 ns 195 ns 220 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 62 W 62W (Tc) 35000 mW
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 60 V -
长度 10.16 mm 10.67 mm -
宽度 4.7 mm 4.7 mm -
高度 9.19 mm 15.87 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -