BF421ZL1G和BF423

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF421ZL1G BF423 BF423ZL1G

描述 高电压晶体管 High Voltage Transistors高电压晶体管 High Voltage TransistorsON SEMICONDUCTOR  BF423ZL1G  单晶体管 双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 830 mW, 100 mA, 50 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

频率 - - 60 MHz

额定电压(DC) -300 V -250 V -250 V

额定电流 -50.0 mA -50.0 mA -50.0 mA

针脚数 - - 3

极性 PNP - PNP

耗散功率 - 830 mW 830 mW

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 250 V 250 V

集电极最大允许电流 0.5A - 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 50 @25mA, 20V 50 @25mA, 20V 50 @25mA, 20V

额定功率(Max) 830 mW 830 mW 830 mW

直流电流增益(hFE) - - 50

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - - 830 mW

长度 - 5.2 mm 5.2 mm

宽度 - 4.19 mm 4.19 mm

高度 - 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2018/01/15

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台