对比图
描述 FDS6911 系列 20 V 13 mOhm 双 N沟道 逻辑电平 PowerTrench® MOSFET-SOIC-8SOIC N-CH 20V 7A双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8
额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V 20.0 V
额定电流 7.50 A 7.00 A 8.00 A
通道数 2 - -
漏源极电阻 0.013 Ω - 17.0 mΩ
极性 N-Channel Dual N-Channel N-Channel
耗散功率 1.6 W - 2 W
阈值电压 1.8 V - -
输入电容 1.13 nF - 1.46 nF
栅电荷 24.0 nC - 14.0 nC
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 20 V 20.0 V 20.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±8.00 V
连续漏极电流(Ids) 7.50 A 7.00 A 8.00 A
上升时间 5 ns 22 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 1130pF @15V(Vds) 1340pF @16V(Vds) 1455pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 2 W 900 mW
下降时间 7 ns 50 ns 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 1600 mW - -
产品系列 - IRF7331 -
长度 4.9 mm - 4.9 mm
宽度 3.9 mm - 3.9 mm
高度 1.5 mm - 1.75 mm
封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99