对比图
型号 FDB6670AL STB95N3LLH6 STB80NF03L-04T4
描述 N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFETN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。N沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
漏源极电阻 5.20 mΩ 0.0037 Ω 4.00 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 68 W 70 W 300 W
阈值电压 - 1 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80A 80.0 A
上升时间 13 ns 91 ns 270 ns
输入电容(Ciss) 2440pF @15V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds)
下降时间 15 ns 23.4 ns 95 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 68W (Tc) 70W (Tc) 300W (Tc)
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 - - 80.0 A
通道数 - - 1
输入电容 - - 5500 pF
漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
额定功率(Max) 68 W - 300 W
长度 - 10.75 mm -
宽度 - 10.4 mm 9.35 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -60℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -