对比图
型号 IPP200N15N3 G SUP90N15-18P-E3
描述 INFINEON IPP200N15N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 16 mohm, 10 V, 3 VN 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220
漏源极电阻 16 mΩ 0.018 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 375 W
阈值电压 3 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) - 90.0 A
上升时间 11 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 1820pF @75V(Vds) 4180pF @75V(Vds)
下降时间 6 ns 8 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150 W 375 W
通道数 1 -
针脚数 3 -
长度 10.36 mm 10.51 mm
宽度 4.4 mm 4.65 mm
高度 15.95 mm 15.49 mm
封装 TO-220-3 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15
包装方式 Tube -