BDV65BG和BDW83C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDV65BG BDW83C BDV65B

描述 ON SEMICONDUCTOR  BDV65BG  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, 1000 hFE互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORSDARLINGTONS 10安培互补硅功率晶体管 DARLINGTONS 10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-218-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 10.0 A 15.0 A 10.0 A

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 10A - 10A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @5A, 4V 750 @6A, 3V 1000 @5A, 4V

额定功率(Max) 125 W 130 W 125 W

额定功率 125 W 150 W -

针脚数 3 - -

耗散功率 125 W 130 W -

直流电流增益(hFE) 1000 750 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 125000 mW 130000 mW -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-218-3

长度 15.2 mm - -

宽度 4.9 mm - -

高度 12.2 mm - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - - 30

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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