对比图
型号 STD7NM50N STD7NM50N-1 STD8NM50N
描述 N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFETN沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFETN 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3
引脚数 3 - 3
耗散功率 45 W 45W (Tc) 45 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
输入电容(Ciss) 400pF @50V(Vds) 400pF @50V(Vds) 364pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - 45 W 45 W
耗散功率(Max) 45W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)
通道数 1 - 1
漏源极电阻 780 mΩ - 0.73 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
阈值电压 - - 3 V
上升时间 5 ns - 4.4 ns
下降时间 9 ns - 8.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
漏源击穿电压 500 V - -
连续漏极电流(Ids) 2.50 A - -
封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3
长度 6.6 mm - 6.6 mm
宽度 6.2 mm - 6.2 mm
高度 2.4 mm - 2.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17