FDS6672A和FDS6672A_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS6672A FDS6672A_NL FDS8876

描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET30V N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 12.5 A - 12.5 A

漏源极电阻 6.80 mΩ - 6.8 mΩ

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 2.5 W - 2.5 W

输入电容 5.07 nF - 1.65 nF

栅电荷 33.0 nC - 28.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - 30 V

栅源击穿电压 ±12.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 12.5 A 12.5A 12.5 A

上升时间 18 ns - 34 ns

输入电容(Ciss) 5070pF @15V(Vds) - 1650pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1 W - 2.5 W

下降时间 28 ns - 19 ns

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)

通道数 - - 1

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.75 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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