对比图
型号 STB23NM60ND STB26NM60N FCB20N60FTM
描述 STMICROELECTRONICS STB23NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STB26NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 VSuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 20.0 A
漏源极电阻 0.15 Ω 0.135 Ω 0.15 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 140 W 208 W
阈值电压 4 V 3 V 5 V
输入电容 - - 3.08 nF
栅电荷 - - 98.0 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - - 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 20A 20.0 A
上升时间 19 ns 25 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 2050pF @50V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 3080pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 150 W 140 W 208 W
下降时间 42 ns 50 ns 65 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 140W (Tc) 208W (Tc)
针脚数 3 3 -
长度 10.75 mm 10.75 mm 10.67 mm
宽度 10.4 mm 10.4 mm 9.65 mm
高度 4.6 mm 4.6 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 EAR99