对比图
型号 BQ4011YMA-70N DS1230Y-70+ DS1230Y-70IND+
描述 128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-70+ 芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-70IND+ 芯片, 存储器, NVRAM
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 28 28 28
封装 DIP-28 EDIP-28 EDIP-28
电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)
存取时间 70.0 ns 70 ns 70 ns
内存容量 32000 B 32000 B 32000 B
存取时间(Max) 70 ns - -
工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V
针脚数 - 28 28
时钟频率 - 70.0 GHz 70.0 GHz
电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V
电源电压(Min) - 4.5 V 4.5 V
封装 DIP-28 EDIP-28 EDIP-28
长度 - 39.12 mm 39.37 mm
宽度 - 18.8 mm 18.8 mm
高度 - 9.4 mm 10.67 mm
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free