STB155N3LH6和STD155N3LH6

对比图

型号 STB155N3LH6 STD155N3LH6 IPB03N03LB

描述 N沟道30 V ， 2.4 MI © ， 80 A， DPAK ， DPAK STripFETVI DeepGATE功率MOSFET N-channel 30 V, 2.4 mΩ , 80 A, DPAK, DPAK STripFETVI DeepGATE Power MOSFETN 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 80.0 A

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 110 W 110 W 150W (Tc)

输入电容 - 3800 pF 7.62 nF

栅电荷 - - 59.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - - 80.0 A

输入电容(Ciss) 3800pF @25V(Vds) 3800pF @25V(Vds) 7624pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 150W (Tc)

上升时间 85 ns 85 ns -

额定功率(Max) 110 W 110 W -

下降时间 40 ns 40 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 3 mΩ -

漏源击穿电压 - 30 V -

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -