DS1245W-100IND+和DS1245W-100+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1245W-100IND+ DS1245W-100+ DS1245W-100IND

描述 3.3V 1024K Nonvolatile SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245W-100+  芯片, 存储器, SRAMNVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 3.3V 32Pin EDIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 32 32

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

时钟频率 - 100 GHz 100 GHz

存取时间 100 ns 100 ns 100 ns

内存容量 - 1000000 B 1000000 B

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

针脚数 - 32 -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 3 V -

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube, Rail Tube Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

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