对比图
描述 ON SEMICONDUCTOR 2N4918G 双极晶体管ON SEMICONDUCTOR MJE210G 单晶体管 双极, PNP, -40 V, 65 MHz, 15 W, -5 A, 10 hFE 新ON SEMICONDUCTOR MJE171G 晶体管 双极-射频, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, 12 hFE 新
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-225-3 TO-225-3 TO-126-3
频率 3 MHz 65 MHz 50 MHz
额定电压(DC) -40.0 V -25.0 V -60.0 V
额定电流 1.00 A -5.00 A -3.00 A
针脚数 3 3 3
极性 PNP PNP, P-Channel PNP, P-Channel
耗散功率 30 W 15 W 1.5 W
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 60 V
热阻 4.16℃/W (RθJC) 8.34℃/W (RθJC) 10℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流 3A 5A 3A
最小电流放大倍数(hFE) 30 @500mA, 1V 45 @2A, 1V 50 @100mA, 1V
额定功率(Max) 30 W 15 W 1.5 W
直流电流增益(hFE) 10 65 50
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
工作结温 - - -65℃ ~ 150℃
耗散功率(Max) 30000 mW 15000 mW 12500 mW
增益频宽积 - 65 MHz -
无卤素状态 Halogen Free - -
最大电流放大倍数(hFE) 150 - -
长度 7.74 mm 7.8 mm 7.8 mm
封装 TO-225-3 TO-225-3 TO-126-3
宽度 - 2.66 mm -
高度 - 11.04 mm -
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99