JAN2N718A和JANTX2N718A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N718A JANTX2N718A 2N718A

描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORTRANSISTOR,BJT,NPN,32V V(BR)CEO,TO-18

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-18 TO-18 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 0.5 W 0.5 W -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V 40 @150mA, 10V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW -

封装 TO-18 TO-18 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bag Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

ECCN代码 - EAR99 -

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