RFP50N06和RLP1N06CLE

对比图

型号 RFP50N06 RLP1N06CLE RFG70N06

描述 ON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装1A ， 55V ， 0.750欧姆，电压钳位，电流限制， N沟道功率MOSFET 1A, 55V, 0.750 Ohm,Voltage Clamping, Current Limited, N-Channel Power MOSFET70A ， 60V ，额定雪崩， N沟道增强型功率MOSFET 70A, 60V, Avalanche Rated, N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Intersil (英特矽尔) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-220-3 - TO-247-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.022 Ω - 14.0 mΩ

耗散功率 131 W - 150W (Tc)

阈值电压 4 V - -

漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V

上升时间 55 ns - -

输入电容(Ciss) 2020pF @25V(Vds) - 2250pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 131 W - -

下降时间 13 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 131 W - 150W (Tc)

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 70.0 A

极性 - - N-Channel

漏源击穿电压 - - 60.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 70.0 A

长度 10.67 mm - -

宽度 4.83 mm - -

高度 9.4 mm - -

封装 TO-220-3 - TO-247-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 - - EAR99