BSS138N和BSS138NE6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS138N BSS138NE6327 BSS138LT1G

描述 BSS138N N沟道MOSFET 60V 230mA/0.23A SOT-23/SC-59 marking/标记 SK 逻辑电平输入/热关机/过压保护/过载保护/过压保护Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - 60.0 V 50.0 V

额定电流 - 230 mA 200 mA

输入电容 - 41.0 pF 40pF @25V

栅电荷 - 1.46 nC -

漏源极电压(Vds) 60 V 60.0 V 50 V

连续漏极电流(Ids) 230 mA 230 mA 200 mA

上升时间 - 3 ns -

输入电容(Ciss) - 32pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds)

下降时间 - 8.2 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 360 mW 225 mW

额定功率 - - 0.225 W

无卤素状态 - - Halogen Free

通道数 1 - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 3.5 Ω - 3.5 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 360 mW - 225 mW

阈值电压 1 V - 1.5 V

漏源击穿电压 - - 50 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

额定功率(Max) - - 225 mW

工作结温(Max) 150 ℃ - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 - - 0.94 mm

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

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