对比图
型号 STP36NF06L BUZ11_NR4941 IRFZ34NPBF
描述 STMICROELECTRONICS STP36NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 VN 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。INTERNATIONAL RECTIFIER IRFZ34NPBF 晶体管
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 60.0 V - 55.0 V
额定电流 30.0 A - 29.0 A
额定功率 70 W 75 W -
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.032 Ω 0.03 Ω 0.04 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 75 W 68 W
阈值电压 2.5 V 3 V -
漏源极电压(Vds) 60 V 50 V 55 V
漏源击穿电压 60.0 V - 55 V
栅源击穿电压 ±18.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30A 29.0 A
上升时间 80 ns 70 ns 49.0 ns
输入电容(Ciss) 660pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 70 W 75 W 68 W
下降时间 13 ns 130 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 75W (Tc) -
产品系列 - - IRFZ34N
输入电容 - - 700pF @25V
长度 10.4 mm 10.67 mm 10.54 mm
宽度 4.6 mm 4.83 mm 4.4 mm
高度 9.15 mm 16.51 mm 15.24 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 - -