对比图
型号 SPP20N65C3 STW23NM60ND STI23NM60ND
描述 650V,20.7A,N沟道功率MOSFETN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-262-3
额定电压(DC) 650 V - -
额定电流 20.7 A - -
通道数 1 - -
漏源极电阻 190 mΩ - -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 208 W 150W (Tc) 150 W
输入电容 2.40 nF - -
栅电荷 114 nC - -
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 650 V - -
连续漏极电流(Ids) 20.7 A - -
上升时间 5 ns 19 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 2050pF @50V(Vds) 2050pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 208 W 150 W -
下降时间 4.5 ns 42 ns 42 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 150W (Tc) 150W (Tc)
长度 10 mm 15.75 mm 10.4 mm
宽度 4.4 mm 5.15 mm 4.6 mm
高度 15.65 mm 20.15 mm 10.75 mm
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -