MBT3906DW1T1G和SMBT3906U

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBT3906DW1T1G SMBT3906U MBT3906DW1T1

描述 ON SEMICONDUCTOR  MBT3906DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, PNP, -40 V, 150 mW, -200 mA, 60 hFE, SOT-363高直流电流增益在0.1 mA至100 mA低集电极 - 发射极饱和电压 High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 SC-70-6 SC-74 SC-70-6

引脚数 6 - -

额定电压(DC) -40.0 V - -40.0 V

额定电流 -200 mA - -200 mA

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 150 mW - 150 mW

增益频宽积 - - 250 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V - 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) 150 mW - 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

频率 250 MHz - -

额定功率 150 mW - -

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 6 - -

直流电流增益(hFE) 60 - -

耗散功率(Max) 150 mW - -

长度 2.2 mm - 2 mm

宽度 1.35 mm - 1.25 mm

高度 1 mm - 0.9 mm

封装 SC-70-6 SC-74 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active End of Life Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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