对比图
型号 BSO301SPHXUMA1 SI4435DY SI4425DDY-T1-GE3
描述 INFINEON BSO301SPHXUMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -12.6 A, -30 V, 0.0063 ohm, -10 V, -1.5 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR SI4435DY. 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 VVISHAY SI4425DDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -19.7 A, -30 V, 8.1 mohm, -10 V, -1.2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0063 Ω 0.015 Ω 0.0081 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 1.79 W 2.5 W 5.7 W
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
额定功率 1.79 W - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -
连续漏极电流(Ids) 12.6A -8.80 A -
上升时间 22 ns 13.5 ns -
输入电容(Ciss) 4430pF @25V(Vds) 1604pF @15V(Vds) -
下降时间 110 ns - -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta) -
额定电压(DC) - -30.0 V -
额定电流 - -8.80 A -
输入电容 - 1.60 nF -
栅电荷 - 17.0 nC -
漏源击穿电压 - -150 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
额定功率(Max) - 1 W -
封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm 4.9 mm -
宽度 4 mm 3.9 mm -
高度 1.65 mm 1.57 mm -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Active Active -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -