FDS4559和IRF7343TRPBF

对比图

型号 FDS4559 IRF7343TRPBF FDS4559_F085

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4559  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 60 V, 55 mohm, 10 V, 2.2 VINFINEON  IRF7343TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 VFDS4559 系列 60 V 55 mOhm 互补 PowerTrench MOSFET - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 4.50 A - -

额定功率 2 W 2 W -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.042 Ω 0.043 Ω -

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N+P

耗散功率 2 W 2 W 2 W

阈值电压 2.2 V 1 V -

输入电容 759 pF - -

栅电荷 15.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 60 V

漏源击穿电压 ±60.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 4.50 A 4.7A/3.4A 4.5A/3.5A

上升时间 10.0 ns - -

输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) 740pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2 W 2 W

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2000 mW 2 W

通道数 - - 2

热阻 - 62.5℃/W (RθJA) -

长度 5 mm 5 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 3.9 mm 3.9 mm

高度 1.5 mm 1.75 mm 1.575 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -