对比图
型号 STD120N4LF6 STF4N62K3 IRLR3114ZPBF
描述 N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronicsN沟道 40V 42A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3
漏源极电阻 0.004 Ω 1.7 Ω 6.5 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 25 W 140 W
产品系列 - - IRLR3114Z
输入电容 - - 3810pF @25V
漏源极电压(Vds) 40 V 620 V 40 V
连续漏极电流(Ids) - - 130 A
输入电容(Ciss) 4300pF @25V(Vds) 550pF @50V(Vds) 3810pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 25 W 140 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
阈值电压 1V ~ 3V 3.75 V -
上升时间 95 ns 9 ns -
下降时间 45 ns 19 ns -
耗散功率(Max) 110W (Tc) 25W (Tc) -
通道数 1 - -
漏源击穿电压 40 V - -
长度 6.6 mm 10.4 mm 6.73 mm
高度 2.4 mm 16.4 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3
宽度 6.2 mm 4.6 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99