对比图
型号 PD55003S PD55003S-E PD55003-E
描述 RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.STMICROELECTRONICS PD55003-E 晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管MOS管MOS管
封装 PowerSO-10 PowerSO-10RF PowerSO-10RF
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
频率 500 MHz 500 MHz 500 MHz
额定电流 2.5 A 2.5 A 2.5 A
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 31.7 W 31.7 W 31.7 W
漏源击穿电压 40.0 V - 40 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 2.50 A 2.50 A 2.50 A
输出功率 3 W 3 W 3 W
增益 17 dB 17 dB 17 dB
测试电流 50 mA 50 mA 50 mA
额定电压 40 V 40 V 40 V
额定电压(DC) - 40.0 V 40.0 V
针脚数 - - 3
漏源极电压(Vds) - 40 V 40 V
输入电容(Ciss) - 36pF @12.5V(Vds) 36pF @12.5V(Vds)
工作温度(Max) - 165 ℃ 165 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 31700 mW 31700 mW
封装 PowerSO-10 PowerSO-10RF PowerSO-10RF
长度 - 7.5 mm 7.5 mm
宽度 - 9.4 mm 9.4 mm
高度 - 3.5 mm 3.5 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃
ECCN代码 - EAR99 EAR99
香港进出口证 - - NLR