对比图
型号 RTQ035N03TR SI3456DDV-T1-GE3 FDC855N
描述 N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHMN通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC855N 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 30 V, 0.0207 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOT-23-6
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 3.50 A - -
针脚数 6 6 6
漏源极电阻 0.038 Ω 33 mΩ 0.0207 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.25 W 1.7 W 1.6 W
阈值电压 1.5 V 1.2 V 2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 3.50 A 5A 6.1A
上升时间 12 ns 13 ns 2 ns
输入电容(Ciss) 285pF @10V(Vds) 325pF @15V(Vds) 655pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1.25 W 2.7 W 800 mW
下降时间 13 ns 11 ns 2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 1.25W (Ta) - 1.6W (Ta)
长度 2.9 mm - 3 mm
宽度 1.6 mm - 1.7 mm
高度 0.9 mm - 1 mm
封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOT-23-6
材质 Silicon - -
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 3000 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15