MJD200G和MJD200T4G

对比图

型号 MJD200G MJD200T4G MJD200T5G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJD200G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 65 MHz, 1.4 W, 5 A, 65 hFEON SEMICONDUCTOR  MJD200T4G  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFETRANS NPN 25V 5A DPAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 65 MHz 65 MHz -

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V -

额定电流 5 A 5.00 A -

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 1.4 W 12.5 W -

增益频宽积 65 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V

热阻 10℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 5A 5A -

最小电流放大倍数(hFE) 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V

额定功率(Max) 1.4 W 1.4 W 1.4 W

直流电流增益(hFE) 65 70 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1400 mW 1400 mW -

额定功率 - 1.4 W -

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.38 mm - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2018/01/15 2016/06/20 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -