对比图
型号 RN2304(TE85L,F) SMUN5113T1G MUN5113T1G
描述 USM PNP 50V 100mA数字晶体管（ BRT ） R1 = 47千欧， R2 = 47 K· Digital Transistors (BRT) R1 = 47 k, R2 = 47 k偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 SOT-323 SC-70-3 SOT-323-3
额定电压(DC) - - -50.0 V
额定电流 - - -100 mA
无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 - 0.3 W 0.3 W
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) - - 80
额定功率(Max) 100 mW 202 mW 202 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW
长度 - - 2.1 mm
宽度 - - 1.24 mm
高度 - - 0.85 mm
封装 SOT-323 SC-70-3 SOT-323-3
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99