对比图
型号 FQD24N08TF NTD18N06LT4G NTD3055L104T4G
描述 80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFETON SEMICONDUCTOR NTD18N06LT4G MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 60 V, 54 mohm, 5 V, 1.8 V 新ON SEMICONDUCTOR NTD3055L104T4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 80.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 19.6 A 18.0 A 12.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 4
漏源极电阻 60.0 mΩ 0.054 Ω 0.089 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5W (Ta), 50W (Tc) 55 W 48 W
阈值电压 - 1.8 V 1.6 V
漏源极电压(Vds) 80 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 80.0 V 60.0 V 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V ±15.0 V ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 19.6 A 18.0 A 12.0 A
上升时间 - 79 ns 104 ns
输入电容(Ciss) 750pF @25V(Vds) 675pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 55 W 1.5 W
下降时间 - 38 ns 40.5 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.1 W 1.5 W
输入电容 - 482pF @25V -
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.38 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - NLR -