CSD85302L和CSD85302LT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD85302L CSD85302LT CSD83325L

描述 20V、N 沟道 NexFET MOSFET™、双路共漏极、LGA 1.35x1.35、24mΩ 4-PICOSTAR -55 to 150TEXAS INSTRUMENTS  CSD85302LT  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 900 mVCSD83325L,双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 6

封装 Picostar-4 XFLGA-4 XFBGA-6

针脚数 - 4 -

漏源极电阻 - 0.024 Ω 5.9 mΩ

极性 N-CH Dual N-Channel N-CH

耗散功率 1.7 W 1.7 W 2.3 W

阈值电压 680 mV 900 mV 750 mV

漏源极电压(Vds) - 20 V 12 V

上升时间 54 ns 54 ns 353 ns

额定功率(Max) 1.7 W 1.7 W 2.3 W

下降时间 99 ns 99 ns 589 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 1700 mW 1700 mW 2300 mW

通道数 2 - 2

漏源击穿电压 - - ±12 V

连续漏极电流(Ids) - - 8A

输入电容(Ciss) - - 902pF @6V(Vds)

封装 Picostar-4 XFLGA-4 XFBGA-6

长度 1.35 mm - 2.2 mm

宽度 1.35 mm - 1.15 mm

高度 0.22 mm - 0.2 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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