FQD5N50CTM和STD6NK50ZT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD5N50CTM STD6NK50ZT4 STD5NK50ZT4

描述 N沟道 500V 4AN 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 5.00 A 5.60 A 4.40 A

额定功率 - - 70 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 1.40 Ω 0.93 Ω 1.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 90 W 70 W

阈值电压 - 3.75 V 3.75 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V - 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 5.60 A 4.40 A

上升时间 46 ns 23.5 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 625pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds) 535pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 90 W 70 W

下降时间 48 ns 23 ns 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 90W (Tc) 70W (Tc)

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm

宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.2 mm

高度 2.39 mm 2.4 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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