对比图
型号 IPD70N03S4L-04 STB155N3LH6 STD155N3LH6
描述 MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能N沟道30 V ， 2.4 MI © ， 80 A， DPAK ， DPAK STripFETVI DeepGATE功率MOSFET N-channel 30 V, 2.4 mΩ , 80 A, DPAK, DPAK STripFETVI DeepGATE Power MOSFETN 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3
通道数 - - 1
漏源极电阻 0.0036 Ω - 3 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 68 W 110 W 110 W
输入电容 - - 3800 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - - 30 V
上升时间 - 85 ns 85 ns
输入电容(Ciss) 3300pF @25V(Vds) 3800pF @25V(Vds) 3800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 68 W 110 W 110 W
下降时间 - 40 ns 40 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 68W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
针脚数 3 - -
阈值电压 1.5 V - -
连续漏极电流(Ids) 30A - -
长度 6.5 mm - 6.6 mm
宽度 6.22 mm - 6.2 mm
高度 2.3 mm - 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -