SI2301BDS-T1-E3和SI2301BDS-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-GE3 IRLML2246TRPBF

描述 VISHAY  SI2301BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 100 mohm, -4.5 V, -950 mVP沟道2.5 V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFETINFINEON  IRLML2246TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -1.1 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 100 mΩ 0.08 Ω 0.09 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 900 mW 700 mW 1.3 W

漏源极电压(Vds) -20.0 V -20.0 V 20 V

连续漏极电流(Ids) -2.20 A -2.20 A 2.6A

输入电容(Ciss) 375pF @6V(Vds) - 220pF @16V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 0.7 W - 1.3W (Ta)

上升时间 - 40 ns 7.7 ns

下降时间 - 20 ns 16 ns

额定功率 - - 1.3 W

通道数 - - 1

阈值电压 - - 1.1 V

输入电容 - - 220 pF

漏源击穿电压 - - 20 V

额定功率(Max) - - 1.3 W

长度 3.04 mm - 3.04 mm

宽度 1.4 mm - 1.4 mm

高度 1.02 mm - 1.02 mm

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

产品生命周期 - - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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