对比图
型号 APT20M45BVRG SML20B56 APT20M45BVR
描述 功率MOS V® POWER MOS V®N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS功率MOS V® POWER MOS V®
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Semelab Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-247-3 - TO-247
极性 N-CH - N-CH
漏源极电压(Vds) 200 V - 200 V
连续漏极电流(Ids) 56.0 A - 56A
上升时间 14 ns - 14 ns
输入电容(Ciss) 4860pF @25V(Vds) - 4050pF @25V(Vds)
下降时间 7 ns - 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) - 300000 mW
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 56.0 A - -
漏源极电阻 45 mΩ - -
耗散功率 300 W - -
阈值电压 4 V - -
输入电容 4.86 nF - -
栅电荷 195 nC - -
漏源击穿电压 200 V - -
额定功率(Max) 300 W - -
封装 TO-247-3 - TO-247
长度 16.26 mm - -
宽度 5.31 mm - -
高度 21.46 mm - -
产品生命周期 Active Not Recommended Active
包装方式 Tube - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant - Non-Compliant
含铅标准 Lead Free - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -