对比图
型号 STP5NK50Z STP60NF06 IRF820B
描述 N沟道500V - 1.22Ω - 4.4A TO- 220 / FP -D / IPAK - D2 / I2PAK齐纳保护的超网MOSFET ？ N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH?MOSFETSTMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 3 -
漏源极电阻 1.22 Ω 0.016 Ω 210 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 110 W 49 W
漏源极电压(Vds) 500 V 60 V 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 4.40 A 60.0 A 2.50 A
上升时间 10 ns 108 ns 30 ns
下降时间 15 ns 20 ns 35 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) 500 V 60.0 V -
额定电流 4.40 A 60.0 A -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
阈值电压 3.75 V 2 V -
漏源击穿电压 500 V 60.0 V -
输入电容(Ciss) 535pF @25V(Vds) 1660pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 70 W 110 W -
耗散功率(Max) 70W (Tc) 110W (Tc) -
额定功率 70 W - -
长度 - 10.4 mm 10.67 mm
宽度 - 4.6 mm 4.7 mm
高度 - 9.15 mm 16.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -