对比图
型号 SPI11N60CFD SPI11N60CFDHKSA1 IPI65R420CFD
描述 新的革命高电压技术，超低栅极电荷定期额定雪崩 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche ratedTO-262 N-CH 600V 11AInfineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-262-3-1 TO-262-3
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 125 W 125W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11A 8.7A
上升时间 18 ns 18 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds) 870pF @100V(Vds)
下降时间 7 ns 7 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125000 mW 125W (Tc) 83.3 W
额定功率(Max) 125 W - 83.3 W
封装 TO-262-3 TO-262-3-1 TO-262-3
长度 10.2 mm - 10.36 mm
宽度 4.5 mm - 4.57 mm
高度 9.45 mm - 9.45 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free