IXDI404SI和UCC27323D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDI404SI UCC27323D UCC37323DR

描述 MOSFET DRVR 4A 2Out Lo Side Inv 8Pin SOICMOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 35.0V (max) 4.00V (min) 4.00V (min)

上升/下降时间 16ns, 13ns 20ns, 15ns 20ns, 15ns

输出接口数 2 2 2

耗散功率 - 1.14 W 1.14 W

上升时间 - 40 ns 40 ns

输出电流(Max) - 4.5 A 4.5 A

下降时间 - 40 ns 40 ns

下降时间(Max) 17 ns 40 ns 40 ns

上升时间(Max) 18 ns 40 ns 40 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ 0 ℃

耗散功率(Max) - 1140 mW 1140 mW

电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 15V 4.5V ~ 15V

电源电压(Max) - 15 V -

电源电压(Min) - 4 V -

输出电流 4.00 A - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.91 mm -

高度 1.5 mm 1.58 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台