VDZT2R9.1B和CDZT2R9.1B

对比图

型号 VDZT2R9.1B CDZT2R9.1B

描述 VMD 9.04V 0.1W(1/10W)VMN 9.04V 0.1W(1/10W)

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2

封装 VMD-2 VMN-2

额定电压(DC) 9.10 V 9.10 V

容差 ±2 % ±2 %

额定功率 100 mW 100 mW

耗散功率 100 mW 0.1 W

测试电流 5 mA 5 mA

稳压值 9.04 V 9.04 V

额定功率(Max) 100 mW 100 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 100 mW 100 mW

长度 1 mm 0.9 mm

宽度 0.6 mm 0.57 mm

高度 0.5 mm 0.37 mm

封装 VMD-2 VMN-2

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free PB free