对比图
型号 IRFZ34NPBF IRFZ44ZPBF STP36NF06L
描述 INFINEON IRFZ34NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFZ44ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 51 A, 55 V, 13.9 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP36NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 56 W 80 W 70 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.04 Ω 0.0139 Ω 0.032 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 68 W 80 W 70 W
阈值电压 4 V 4 V 2.5 V
输入电容 700 pF 1420pF @25V -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 29A 51A 30.0 A
上升时间 49 ns 68 ns 80 ns
反向恢复时间 57 ns - -
正向电压(Max) 1.6 V - -
输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) 1420pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 68 W - 70 W
下降时间 40 ns 41 ns 13 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 175℃ - -
耗散功率(Max) 68W (Tc) 80W (Tc) 70W (Tc)
漏源击穿电压 - 55 V 60.0 V
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 30.0 A
通道数 - - 1
栅源击穿电压 - - ±18.0 V
长度 10.54 mm 10.67 mm 10.4 mm
宽度 4.4 mm - 4.6 mm
高度 8.77 mm 8.77 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - EAR99