FJV3102RMTF和PDTC114ET@215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJV3102RMTF PDTC114ET@215 DTC114EET1

描述 集成电路Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin TO-236AB T/R偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-236 SOT-416

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

极性 NPN NPN N-Channel

耗散功率 0.2 W - 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V - 50 V

集电极最大允许电流 100mA - 100mA

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW - 300 mW

最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V - -

额定功率(Max) 200 mW - -

增益带宽 250 MHz - -

高度 0.93 mm - 0.75 mm

封装 SOT-23-3 TO-236 SOT-416

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

香港进出口证 - - NLR

ECCN代码 EAR99 - -

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