对比图
型号 SI2303BDS-T1-E3 SI2303CDS-T1-GE3 BSH202,215
描述 VISHAY SI2303BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.49 A, -30 V, 0.15 ohm, -10 V, -3 VVISHAY SI2303CDS-T1-GE3. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -2.7ABSH 系列 -30 V 0.9 Ω 417 mW P-沟道 增强型 MOS 晶体管 - SOT-23
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.15 Ω 0.158 Ω 0.63 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 700 mW 2.3 W 417 mW
漏源极电压(Vds) -30.0 V -30.0 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 1.49 A -2.70 A -520 mA
上升时间 - 37 ns 4.5 ns
输入电容(Ciss) 180pF @15V(Vds) 155pF @15V(Vds) 80pF @24V(Vds)
下降时间 - 9 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 0.7 W 1000 mW 417mW (Ta)
额定功率(Max) - - 417 mW
长度 3.04 mm 3.04 mm -
宽度 1.4 mm 1.4 mm -
高度 1.02 mm 1.02 mm -
封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Unknown - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -