对比图
型号 STP13NK50Z STP5NK100Z SPP04N80C3
描述 N型沟道500伏， 0.40 Ω ， 11 A TO - 220，TO- 220FP ，TO- 247齐纳保护SuperMESHTM功率MOSFET N-channel 500 V, 0.40 Ω, 11 A TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 1.00 kV 800 V
额定电流 - 3.50 A 4.00 A
额定功率 - 125 W 63 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 0.4 Ω 3.7 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 140 W 125 W 63 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 1 kV 800 V
漏源击穿电压 - 1.00 kV 800 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 11A 3.50 A 4.00 A
上升时间 23 ns 7.7 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 1600pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 125 W 63 W
下降时间 24 ns 19 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 140W (Tc) 125W (Tc) 63W (Tc)
长度 10.4 mm 10.4 mm 10 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.4 mm
高度 9.15 mm 9.15 mm 15.65 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -