对比图
型号 MMFT960T1 MMFT960T3 MMFT960T1G
描述 功率MOSFET 300毫安， 60伏 Power MOSFET 300 mA, 60 VoltsSOT-223 N-CH 60V 0.3A0.3A,60V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 4
封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4
额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V
额定电流 300 mA - 300 mA
漏源极电阻 1.7 Ω - 1.7 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 800 mW - 0.8 W
输入电容 - - 65pF @25V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V - 60 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 300 mA 0.3A 300 mA
输入电容(Ciss) 65pF @25V(Vds) - 65pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 800 mW
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 800mW (Ta) - 800mW (Ta)
通道数 1 - -
长度 6.5 mm - 6.7 mm
高度 1.57 mm - 1.65 mm
封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4
宽度 3.5 mm - -
材质 - - Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - Lead Free
ECCN代码 - - EAR99