SPD09P06PL参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SPD09P06PL概述

SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

表面贴装型 P 通道 60 V 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3

得捷:
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3

SPD09P06PL中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -9.70 A

极性 P-CH

耗散功率 42W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 9.7A

输入电容Ciss 450pF @25VVds

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SPD09P06PL

型号： SPD09P06PL

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

替代型号SPD09P06PL

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SPD09P06PL Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
SPU09P06PL 英飞凌	功能相似	SPD09P06PL和SPU09P06PL的区别
2SJ315 东芝	功能相似	SPD09P06PL和2SJ315的区别
SPD09P06PLG 英飞凌	功能相似	SPD09P06PL和SPD09P06PLG的区别