对比图
型号 SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-GE3 DMG4435SSS-13
描述 VISHAY SI4835DDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 13A, SOICVISHAY SI4835DDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.7 A, -30 V, 14 mohm, -10 V, -3 VDMG4435SSS 系列 30 V 20 mOhm P 沟道 增强型 Mosfet - SOP-8
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Diodes (美台)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.03 Ω 0.014 Ω 0.013 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 30 V -30.0 V 30 V
连续漏极电流(Ids) -13.0 A -8.70 A 7.3A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 5.6 W 2.5W (Ta)
额定功率 5.6 W - -
阈值电压 - - 1.7 V
上升时间 - - 12.7 ns
正向电压(Max) - - 1 V
输入电容(Ciss) - - 1614pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 1.3 W
下降时间 - - 22.8 ns
长度 - 5 mm -
宽度 - 4 mm -
高度 - 1.55 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 - - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99