PDTA123JT,215和PDTA123JTVL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PDTA123JT,215 PDTA123JTVL PDTA123JK,115

描述 NXP  PDTA123JT,215  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 100 hFETO-236AB PNP 50V 100mAMPAK PNP 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 250 mW 250 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 5V 100 @10mA, 5V 100 @10mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW 250 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 100 - -

高度 1 mm 1 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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