对比图
型号 IPD50R1K4CEBTMA1 IPD60R1K4C6ATMA1 IPD50R1K4CEAUMA1
描述 Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能晶体管, MOSFET, N沟道, 4.8 A, 500 V, 1.26 ohm, 13 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 25 W - -
通道数 1 - -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1.26 Ω 1.26 Ω 1.26 Ω
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 25 W 28.4 W 42 W
阈值电压 3 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 600 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 3.1A 3.2A 4.8A
上升时间 6 ns 7 ns 6 ns
输入电容(Ciss) 178pF @100V(Vds) 200pF @100V(Vds) 178pF @100V(Vds)
下降时间 30 ns 20 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 25 W 28.4W (Tc) 42W (Tc)
长度 6.73 mm 6.73 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.41 mm 2.41 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Last Time Buy Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -