对比图
描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorN沟道200V - 0.15ohm - 19A - TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFETN - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 263 MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3
引脚数 3 - -
额定电压(DC) 200 V 200 V -
额定电流 14.5 A 19.0 A -
漏源极电阻 200 mΩ 150 mΩ 180 mΩ
耗散功率 95 W 125W (Tc) 125 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -
输入电容(Ciss) 1120pF @25V(Vds) 1000pF @25V(Vds) -
耗散功率(Max) 95W (Tc) 125W (Tc) -
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 200 V
上升时间 50 ns - 27 ns
下降时间 60 ns - 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 65 ℃
极性 N-Channel - -
阈值电压 3 V - -
输入电容 1.12 nF - -
连续漏极电流(Ids) 14.5 A - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 9.35 mm
高度 - - 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free -
REACH SVHC版本 2014/12/17 - -