FDD6N25TF和FDD6N25TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDD6N25TF FDD6N25TM IRF624SPBF

描述 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD6N25TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 250 V, 0.9 ohm, 10 V, 5 VMOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3

额定功率 - 50 mW -

通道数 1 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 900 mΩ 0.9 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 50 W 50 W 3100 mW

阈值电压 - 5 V -

输入电容 250 pF 250 pF -

栅电荷 6.00 nC 6.00 nC -

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 4.40 A 4.40 A -

上升时间 25 ns 25 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 250pF @25V(Vds) 250pF @25V(Vds) 260pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 50 W 50 W -

下降时间 12 ns 12 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 50W (Tc) 50W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc)

漏源击穿电压 250 V - -

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.39 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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