对比图
型号 2SD1766T100Q BFN38 2SD1766T100P
描述 中等功率晶体管( 32V , 2A ) Medium power transistor (32V, 2A)NPN硅高压晶体管 NPN Silicon High-Voltage Transistors双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DVR NPN 32V 2A
数据手册 ---
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Infineon (英飞凌) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 - 4
封装 MPT-3 SOT-223 MPT-3
额定电压(DC) 32.0 V - 32.0 V
额定电流 2.00 A - 2.00 A
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 2 W - 2000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 32 V 300 V 32 V
集电极最大允许电流 2A 0.2A 2A
最小电流放大倍数(hFE) 120 @500mA, 3V - 82 @500mA, 3V
最大电流放大倍数(hFE) 390 - 82 @500mA, 3V
额定功率(Max) 2 W - 2 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW - 2000 mW
频率 100 MHz - -
增益频宽积 100 MHz - -
额定功率 - 1.5 W -
长度 4.5 mm 6.5 mm 4.5 mm
宽度 2.5 mm 3.5 mm 2.5 mm
高度 1.5 mm 1.6 mm 1.5 mm
封装 MPT-3 SOT-223 MPT-3
工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs End of Life Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free